삼성, 강력하고 에너지 효율적인 DDR5 메모리 칩 출시

삼성 전자 512GB의 개발이 DDR5 메모리 모듈이 발표되었습니다. 이것은 첫 번째 DRAM 유닛 지난 5 월 JEDEC Solid State Technology Association에서 설정 한 최신 DDRXNUMX 표준에 따라 제조 된 회사의 와 High-K-Metal-Gate-Technology (HKMG) 제조 된 하드웨어는 최대 데이터 전송 속도를 제공합니다. 7200 Mbit / s, DDR4보다 두 배 이상 빠릅니다.

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회사는 16Gbps의 XNUMX 개 레이어를 사용했습니다.DRAM 칩이 모듈을 구성합니다. 한국 기술 대기업에 따르면 HKMG 기술 절연 층의 기존 실리콘 산화물 대신 이전 유형의 메모리 칩에 비해 누설 전류를 줄이는 데 도움이됩니다. 또한 새 메모리는 이전 칩보다 약 13 % 적은 전력을 소비하므로 데이터 센터에 특히 매력적입니다.

삼성은 HKMG 기술 저장 제품에 적용하십시오. 작년부터 극 자외선 복사 과정도 DRAM 제조 익숙한. 기록적인 메모리 칩 출시를 계기로 미국 인텔 대표는 삼성과 긴밀히 협력하여 DDR5 스포크r 성능 및 향후 인텔에 최적화 된 Xeon 확장 가능 프로세서, 코드 명 Sapphire Rapids는 호환됩니다.